近80%。 谈及传统硅基IGBT，他认为存在四大不足，第一，开关损耗大，高频工况效率偏低。第二，耐高温能力有限。第三，开关频率低，系统体积与重量难以下探。第四，难以支撑 800V 以上平台长期发展。 他认为，全面向第三代半导体升级，是必然技术路线，SiC/GaN 器件凭借其优异的物理特性，将彻底解决上述痛点，推动产业革新。 谈及未来3-5年的关键趋势，他认为，第一，800V 高压平台加速下沉
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发布时间：09:04:46
